ABSTRACT -- This work is the observation of the interband transition energies of Er δ-doped InP grown by Organometallic Vapor phase Epitaxy using Photocurrent Spectroscopy. The photocurrent spectra show the energy gap of ErP of 1.24 eV and three interband transition energies of InP/ErP single quantum well, 0.86 eV, 0.92 eV and 1.04 eV. The verification of these transition was made by developing a type-II single quantum well model to analyze the corresponding subband energy levels in conduction band and also the related transition energies. The results show good agreement to experimental data with acceptable band offset ratio.

บทคัดย่อ -- งานวิจัยนี้เป็นการตรวจพบการเกิดการเปลี่ยนระดับพลังงานในบ่อควอนตัมของสารกึ่งตัวนำ Er δ-doped InP ที่ปลูกโดยกระบวนการ Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) สเปกตรัมของโฟโตเคอเรนต์ (Photocurrent) แสดงค่าพลังงานต้องห้ามของ ErP ที่ 1.24 eV นอกจากนั้นยังแสดงค่าพลังงานที่สอดคล้องกับการเปลี่ยนระดับพลังงานในบ่อควอนตัมระหว่าง InP และ ErP ซึ่งมีค่าดังนี้ 0.86 eV 0.92 eV และ 1.04 eV ในการตรวจสอบการเปลี่ยนระดับพลังงานดังกล่าว ได้สร้างแบบจำลองของบ่อศักย์ควอนตัมเดี่ยวแบบ Type-II ของ ErP/InP ขึ้น และคำนวณค่าระดับพลังงานย่อยในบ่อศักย์ของแถบนำ (Conduction Band) และสามารถนำไปคำนวณหาค่า พลังงานที่เกิดจากการเปลี่ยนระดับพลังงานของอิเล็กตรอนได้พบว่า แบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่สร้างขึ้นสอดคล้องกับผลการทดลองเป็นอย่างดี
คำสำคัญ -- Photocurrent Spectroscopy, Er- doped InP, Type-II single quantum well