ABSTRACT -- We present the fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAsP photodetector grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Metal-Semiconductor-Metal structure is fabricated using lithography technique. A thermal evaporator is used for growing gold electrodes. The electrode width and gap spacing of this device are in the same value of 100 mm, and the active area is 2100 x 1300 mm2. The calculated capacitance by conformal mapping technique is approximately 1 pF. At a bias voltage of 8 V, a dark current is in order of nanoampare. This experimental data can be purposed for a potential optical communication devices.
KEYWORDS -MSM Photodetector, GaAsP Semiconductor, and Lithography

บทคัดย่อ -- งานวิจัยนี้เป็นการสร้างโฟโตดีเทคเตอร์โครงสร้างโลหะ-สารกึ่งตัวนำ-โลหะของสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ฟอสไฟด์ที่ได้จากการปลูกผลึกด้วยวิธีจัดเรียงผลึกด้วยลำโมเลกุล (Molecular Beam Epitaxy ; MBE) โครงสร้างโลหะ-สารกึ่งตัวนำ-โลหะสร้างโดยวิธีการ ลิโทกราฟฟีและสร้างขั้วโลหะทองโดยวิธีการระเหยสารด้วยความร้อนในระบบสุญญากาศ ขนาดความกว้างของขั้วโลหะและช่องว่างระหว่างขั้วเท่ากับ 100 ไมครอน และมีขนาดพื้นที่เท่ากับ 2100 x 1300 ตารางไมครอน ใช้เทคนิคคอนฟอมอลแมบปิงคำนวณค่าความจุได้เท่ากับ 1 พิโกฟารัด จากการวัดกระแสที่แรงดันไบแอส 8 โวลต์ ได้ค่ากระแสมืดอยู่ในระดับนาโนแอมแปร์ จากผลการทดลองที่ได้สามารถนำไปประยุกต์ใช้เป็นอุปกรณ์ด้านการสื่อสารทางแสงได้