ABSTRACT -- The electric fields in semiconductor were investigated by using fast Fourier transform photoreflectance (FFT PR) techniques. The Aspnes derivative function was introduced to analyze the PR spectra as a function of photon energy. Using the Airy function at several different electric fields in GaAs, the Franz-Keldysh Oscillations (FKO) above the band-gap energy (Eg) of PR spectra was generated. It was confirmed that FKO period increased with increasing electric field. The application of FFT to the PR spectra was demonstrated to be able to calculate the electric field from FKO period under uniform electric field.

บทคัดย่อ -- สนามไฟฟ้าที่เกิดขึ้นภายในสารกึ่งตัวนำ สามารถตรวจสอบได้โดยเทคนิคฟูเรียร์ทรานส์ฟอร์มโฟโตรีเฟลกแตนซ์ ฟังก์ชันของAspnes derivative ถูกนำมาใช้ในการวิเคราะห์สเปกตรัมของโฟโตรีเฟลกแตนซ์กับพลังงานโฟตอน การแกว่งของ Franz-Keldysh ปรากฏในสเปกตรัมของโฟโตรีเฟลกแตนซ์เหนือค่าของแถบพลังงานต้องห้ามของสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ได้ถูกสร้างจำลองขึ้นโดยใช้ฟังก์ชัน Airy ที่ค่าสนามไฟฟ้าต่างๆ คาบการแกว่งของสเปกตรัมมีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อสนามไฟฟ้ามีค่าเพิ่มขึ้น การประยุกต์ใช้เทคนิคฟูเรียร์ทรานส์ฟอร์มกับสเปกตรัมของโฟโตรีเฟลกแตนซ์ถูกแสดงให้เห็นว่า สามารถหาค่าสนามไฟฟ้าได้จากคาบการแกว่งของ Franz-Keldysh ภายใต้สนามไฟฟ้าที่เกิดขึ้น