กระบวนการสร้างแบบจำลองอุปกรณ์ในงาน IC  fabrication
การสร้างแบบจำลองอุปกรณ์ (Device Simulation) ในงาน IC fabrication ต้องอาศัยโปรแกรมแบบจำลองเฉพาะทางเข้ามาช่วย ในการพัฒนาโดยโปรแกรมที่ใช้กันแพร่หลาย ได้แก่  โปรแกรมแบบจำลองกระบวนการสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ (TSUPREM-4) และโปรแกรมแบบจำลองอุปกรณ์ (MEDICI)
TSUPREM-4 (Process Simulation Program)
เป็นโปรแกรมการจำลองแบบกระบวนการสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและไมโครชิพ (TSUPREM-4) ใช้ทำแบบจำลองกระบวนการสร้าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ ทำให้ทราบโครงสร้าง การแพร่และกระจายของสารเจือโดยรูปแบบของกระบวนการสร้างประกอบด้วย  Implantation Deposition Oxidation  Epitaxial  และ Etching
MEDICI (2-D Device Simulation Program)
เป็นโปรแกรมแบบจำลองอุปกรณ์(MEDICI) ใช้วิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าเช่น คำนวณหาแรงดันขีดเริ่ม    กระแสเดรนอิ่มตัว    กระแสเดรนรั่วไหล  แรงดันพังทลาย  รวมทั้งสามารถดู การกระจายของศักดาไฟฟ้า และ ค่าความกว้างของบริเวณปลอดประจุพาหะที่เราไม่สามารถวัดได้อีกด้วย โดยทั่วไป เราใช้โปรแกรม TSUPREM-4  เก็บข้อมูลของโครงสร้าง แล้วเชื่อม ต่อกับโปรแกรม MEDICI เพื่อ  คำนวณหาคุณสมบัติทางไฟฟ้า
การบริการ
Simulation services
ให้บริการแบบจำลองกระบวนการสร้างอุปกรณ์ไมโครชิพ ด้วยโปรแกรม TSUPREM-4 Process Simulation Program คุณสมบัติทางไฟฟ้าของอุปกรณ์ที่สร้างขึ้นในระดับ 2 มิติ โดยหาคุณสมบัติทางไฟฟ้าพื้นฐานของอุปกรณ์ได้แก่ แรงดันขีดเริ่ม กระแสเดรนอิ่มตัว  กระแสเดรนรั่วไหล  รวมทั้งดูการกระจายของศักดาไฟฟ้า และการกระจายของสารเจือในตัวอุปกรณ์ 
Process and Device Simulation training
เนื้อหา  	
แนะนำ TSUPREM-4 Process Simulation Program,  TMA WORKBENCH  และ MEDICI Devices Simulation Program ตัวอย่างการใช้โปรแกรมแบบจำลองกระบวนการสร้าง และแบบจำลองอุปกรณ์ของ CMOS 5 ไมครอน
คำอธิบายรูป
ตัวอย่างกราฟที่ได้จากโปรแกรม MEDICI
กราฟ Ids-Vds ของ NMOS 5 ไมครอน
ภาคตัดขวางของ CMOS  ที่ได้จากโปรแกรม
กราฟ Ids-Vds ของ PMOS 5 ไมครอน
ขอบเขต depletion region ของเกท 5 ไมครอนจากโปรแกรม MEDICI