อินเทลจับมือญี่ปุ่นเบียดซัมซุงชิงตลาดดีแรม

อินเทลจับมือบริษัทร่วมทุนญี่ปุ่นพัฒนาชิพดีแรมความเร็วสูง ชี้เล็งใช้กับเครื่องแม่ข่ายและคอมพิวเตอร์สมรรถนะสูงโดยเฉพาะ ด้านนักวิเคราะห์เผยดันขึ้นแท่นผู้นำตลาดชิพดีแรมแซงหน้าซัมซุง ด้านเจ้าตลาดโต้ทันควันพร้อมผลิตเทคโนโลยีเน็กซ์ม็อดเชิงพาณิชย์

 

สำนักข่าวเอเอฟพีรายงานว่า บริษัทเอลพิดา เมโมรี อิงค์. ผู้ผลิตชิพรายใหญ่ของประเทศญี่ปุ่น ซึ่งเป็นธุรกิจร่วมทุนระหว่างบริษัทเอ็นอีซีและฮิตาชิ มีแผนเริ่มโครงการผลิตชิพดีแรมความเร็วสูงแห่งยุคหน้าในเชิงพาณิชย์ภายในฤดูร้อนนี้ หนังสือพิมพ์นิฮอน เคอิไซ รายงานว่าการประกาศแผนงานดังกล่าวเกิดขึ้นหลังจากบริษัทอินเทล คอร์ป. ผู้ผลิตชิพอันดับหนึ่งของสหรัฐประกาศว่าชิพรุ่นใหม่ของบริษัทเอลพิดา สามารถปฏิบัติการร่วมกับหน่วยประมวลผลเอ็มพียูเวอร์ชั่นใหม่ของตนได้ ส่งผลให้บริษัทเอลพิดากลายเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมผลิตชิพดีแรม (dynamic random memory-DRAM) แห่งยุคหน้า แซงหน้าบริษัทซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ โค. ยักษ์ใหญ่แห่งประเทศเกาหลีใต้ ซึ่งอยู่ระหว่างกระบวนการพัฒนาชิพรุ่นดังกล่าว

 

ตัวแทนเอลพิดาเผยว่า ทางบริษัทจะผลิตชิพภายใต้ชื่อ "ดีดีอาร์2" (DDR2) ซึ่งเป็นชิพดีแรมขนาด 512 เมกะบิต ที่มีความเร็วรับส่งข้อมูล 533 เมกะบิตต่อวินาที โดยคุณสมบัติดังกล่าวเหมาะสำหรับเครื่องแม่ข่ายหรือคอมพิวเตอร์สมรรถนะสูง อีกทั้งอินเทลได้ออกมายืนยันเพิ่มเติมว่า ชิพดีดีอาร์2 ของเอลพิดาสามารถทำงานร่วมกับชุดหน่วยประมวลผลเอ็มพียูใหม่ของบริษัท ซึ่งเป็นหน่วยประมวลผลที่จะใช้ผลิตคอมพิวเตอร์ระดับบน เช่นเครื่องแม่ข่าย ได้เป็นอย่างดี และพร้อมที่จะประกาศรับรองชิพดังกล่าวต่อผู้ผลิตคอมพิวเตอร์อย่างเป็นทางการ ซึ่งแหล่งข่าวเผยว่าจะช่วยเพิ่มโอกาสให้ผลิตภัณฑ์ของโอลพิดาได้รับความสนใจเหนือบริษัทคู่แข่งมากขึ้น

 

ทั้งนี้ เอลพิดาจะเริ่มผลิตชิพดีดีอาร์2 ในเชิงพาณิชย์ในช่วงฤดูร้อนนี้ เพื่อให้ทันกับความต้องการในตลาด โดยอินเทลจะให้การสนับสนุนด้านงบประมาณ 166.7 ล้านดอลลาร์ และทางบริษัทคาดว่าในอนาคตอันใกล้นี้ จะสามารถแยกตลาดชิพดังกล่าวออกมาจากซัมซุงได้

 

ขณะเดียวกัน บริษัทซัมซุง ได้ออกมาประกาศผ่านทางข่าวแจกว่าเทคโนโลยี เน็กซ์ม็อด@ (NexMod@) ของตน พร้อมเดินหน้าผลิตเชิงพาณิชย์แล้ว โดยจะผลิตครอบคลุมตั้งแต่ 128-256 เมกะไบต์ ด้วยการใช้ฐานอาร์ดีแรมขนาด 288 เมกะบิต พร้อมเผยว่าคุณสมบัติสำคัญของเทคโนโลยีดังกล่าวคือความสามารถในการสร้างโมดูลขนาดเล็ก สำหรับแพลตฟอร์มอาร์ดีแรม สมรรถนะสูง และการลดปริมาณรอยเท้า (footprints) บนแผงวงจรหลัก ซึ่งเหมาะสำหรับระบบที่มีพื้นที่เครือข่ายจำกัด "ผู้ออกแบบระบบเครือข่ายต่างมองหาวิธีการเพิ่มประสิทธิภาพและความจุในพื้นที่ขนาดเล็ก โมดูลเน็กซ์ม็อด ซึ่งมีขนาดรอยเท้าเพียง 1.1 x 2.0 นิ้ว และสูงเพียง 0.5 นิ้ว จะช่วยให้ช่องทางการส่งผ่านข้อมูลของแรมบัสทั้งหมดรวมอยู่ในโมดูลเดียวกัน" นายทอม ควินน์ รองประธานฝ่ายการตลาดอเมริกากล่าว นอกจากนี้ คุณสมบัติทางไฟฟ้าของเน็กซ์ม็อดยังช่วยให้ชิพสามารถส่งสัญญาณได้อย่างรวดเร็ว และขณะที่ช่องส่งสัญญาณข้อมูลหน่วยความจำทั่วไปจะประกอบด้วยซ็อคเก็ตความจำ 2 ตัว และสายส่งสัญญาณอีก 1 เส้น แต่โมดูลเน็กซ์ม็อดจะลดปริมาณซ็อคเก็ตหน่วยความจำลงถึง 50% ซึ่งช่วยให้อัตราเสี่ยงในการเกิดปัญหาสัญญาณขาดหายลดลง

 

ที่มา : กรุงเทพธุรกิจ ฉบับวันที่ 12 พฤษภาคม 2546

 
Home | About us | INET | ITE| PTEC | MTS | NTJ | Software Park
National Electronics and Computer Technology Center (NECTEC)
Copyright ©2001 By Information System Service Section. All rights reserved.