โซนี่-โตชิบาทุ่ม 4 พันล้านดอลล์ผุดชิพพีเอสทรี

ระบุช่วยลดค่าใช้จ่ายจากการสั่งซื้อชิพได้อีกปีละกว่า 3 ล้านล้านเยน
โตเกียว - โซนี่ เดินหน้านโยบายปั้นเพลย์สเตชั่นทรีเป็นศูนย์กลางเพื่อความบันเทิง ตัดสินใจร่วมทุนกับโตชิบา เป็นมูลค่ากว่า 4,200 ล้านดอลลาร์ เพื่อพัฒนาชิพ "เซลล์" สำหรับใช้กับเครื่องเล่นเกมรุ่นใหม่ในโครงการ 3 ปี พร้อมคาดเริ่มต้นกระบวนการผลิตได้ปลายปีนี้

 

สำนักข่าวเอเอฟพี รายงานโดยอ้างแถลงการณ์ร่วมของบริษัทโซนี่ และธุรกิจในเครือด้านเกมคอมพิวเตอร์ โซนี่ คอมพิวเตอร์ เอ็นเตอร์เทนเมนท์ อิงค์. (เอสซีอีไอ) ว่า ทั้งสองบริษัทจะใช้งบประมาณ 200,000 ล้านเยน (1,700 ล้านดอลลาร์) เพื่อผลิตชิพโดยใช้กระบวนการผลิต 65 นาโนมิเตอร์ บนแผ่นเวเฟอร์ขนาด 300 มิลลิเมตร (12 นิ้ว)

ตัวแทนของทั้งสองบริษัท เปิดเผยว่า ทางเอสซีอีไอจะนำเงินก้อนดังกล่าว ไปใช้ในการผลิตตัวประมวลผลรุ่นใหม่ ซึ่งมีชื่อรหัสว่า "เซลล์" (Cell) และชิพวงจรรวมขนาดใหญ่ หรือแอลเอสไอ (large-scale integrated circuits) สำหรับใช้กับเพลย์สเตชั่น ทรี (Playstation 3) เครื่องเล่นเกมรุ่นใหม่ของบริษัท

 

โดยในระยะแรก เดือนมีนาคม 2547 ทางเอสซีอีไอ จะใช้เงินราว 73,000 ล้านเยน เพื่อแนะนำสายผลิตภัณฑ์ใหม่ของกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ที่โรงงานในเมืองนางาซากิ ส่วนบริษัทโตชิบา ซึ่งพัฒนาชิพร่วมกับบริษัทโซนี่และบริษัทไอบีเอ็มมาตั้งแต่ปี 2544 จะเพิ่มกำลังการผลิตชิพวงจรรวมขนาดใหญ่สำหรับใช้ในอุปกรณ์เพื่อความบันเทิงตัวใหม่ของโซนี่ "การรวมเงินลงทุนกับบริษัทโตชิบา ทำให้มูลค่าการลงทุนในครั้งนี้สูงถึง 500,000 ล้านเยน (4,200 ล้านดอลลาร์)" นายเคน คุทารากิ ประธานบริษัทเอสซีอีไอกล่าว พร้อมเปิดเผยว่า ปัจจุบัน โซนี่ มีเป้าหมายสร้างเครือข่ายอินเทอร์เน็ตไร้สายให้ครอบคลุมทั่วโลก ด้วยการรวมการเล่นเกม ชมภาพยนตร์ หรือดูโทรทัศน์ ไว้ในเครื่องเล่นเกมเพลย์สเตชั่น

 

"โซนี่ กรุ๊ป มุ่งพัฒนาและขยายตลาดดังกล่าว ด้วยการใช้เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์รุ่นใหม่ และแอพพลิเคชั่นที่มีอยู่เป็นจำนวนมาก โดยการลงทุนในครั้งนี้ เป็นส่วนหนึ่งของเป้าหมายดังกล่าว" นายคุทารากิกล่าว พร้อมกันนี้ นายคูนิทาเกะ อันโด ประธานบริษัทโซนี่ คอร์ป. เปิดเผยว่า แผนการดังกล่าว จะช่วยให้ทางกลุ่มสามารถลดค่าใช้จ่ายในการจัดซื้อเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งคิดเป็นมูลค่าเกือบ 3 ล้านล้านเยนต่อปี "การลงทุนผลิตชิพตัวใหม่นี้ จะเป็นกำลังหลักในการสนับสนุนธุรกิจใหม่ของทางบริษัท" นายอันโดกล่าว

 

นอกจากนี้ ตัวแทนเอสซีอีไอ กล่าวว่า ทางบริษัทจะเริ่มต้นผลิตชิพ 90 นาโนมิเตอร์ร่วมกับบริษัทโตชิบาปลายปีนี้ ที่โรงงานในเมืองโออิตะ ทางตะวันออกของเมืองนางาซากิ ขณะที่ตัวแทนบริษัทโตชิบา เสริมว่า บริษัทตนจะผลิตชิพแอลเอสไอที่เมืองโออิตะในเดือนมิถุนายนนี้

 

"ขณะนี้ โตชิบาและเอสซีอีไอ กำลังดำเนินการติดตั้งเครื่องมืออำนวยความสะดวกสำหรับใช้ในการผลิตชิพของเอสซีอีไอ" ตัวแทนโตชิบากล่าว กระนั้นโรงงานที่เมืองโออิตะของโตชิบา จะผลิตชิพแอลเอสไอ สำหรับใช้กับแอพพลิเคชั่นด้านเครือข่ายความเร็วสูง โดยใช้ชิพดีแรมและเทคโนโลยีการผลิต 65 นาโนมิเตอร์และเปลี่ยนไปใช้เทคโนโลยีการผลิตแบบ 45 นาโนมิเตอร์ในอนาคต

 

ตัวแทนบริษัทโตชิบา เปิดเผยว่า เงินราว 40,000 ล้านเยน ซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของเงินลงทุนสำหรับโครงการ 4 ระยะ มูลค่า 200,000 ล้านเยนนั้น จะนำไปใช้ในโรงงานแห่งใหม่ประมาณเดือนมีนาคม 2547 ขณะที่การผลิตเต็มรูปแบบจะเริ่มขึ้นในครึ่งแรกของปีหน้า จนถึงเดือนมีนาคม 2548 ทั้งนี้ นายโยชิฮิเด ฟูจิ รองประธานโตชิบา เซมิคอนดักเตอร์ ย้ำว่า ทางบริษัทจะยังคงให้ความสำคัญกับการลงทุนด้านวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์ใหม่ที่ใช้ชิพ 65 นาโนมิเตอร์ต่อไป เพื่อเป็นผู้นำของธุรกิจนี้ในตลาดโลก

 

ที่มา : กรุงเทพธุรกิจ ฉบับวันที่ 23 เมษายน 2546

 

 
Home | About us | INET | ITE| PTEC | MTS | NTJ | Software Park
National Electronics and Computer Technology Center (NECTEC)
Copyright ©2001 By Information System Service Section. All rights reserved.