9 ธันวาคม 2568 เนคเทค สวทช. จัดกิจกรรมอัปเดตงานวิจัยด้านวัสดุแห่งอนาคต “SiC Semiconductor” ในหัวข้อ “Wide-Bandgap SiC Semiconductor: Enabling Sustainable Solutions for Global Issues” ณ ห้องบุษกร อาคารเนคเทค โดยได้รับเกียรติจาก Prof. Ir. Dr. Kuan Yew CHEONG ผู้เชี่ยวชาญจาก School of Materials and Mineral Resources Engineering, Universiti Sains Malaysia และ Senior Member ของ IEEE เป็นวิทยากรรับเชิญ และ ดร.มติ ห่อประทุม ผู้อำนวยการกลุ่มวิจัยอุปกรณ์สเปกโทรสโกปีและเซนเซอร์ (SSDRG) เป็นผู้กล่าวต้อนรับและเปิดกิจกรรม
ภายในงาน Prof. Cheong ได้นำเสนอแนวคิดและองค์ความรู้เกี่ยวกับ Wide-Bandgap SiC ที่มีคุณสมบัติเด่นด้านประสิทธิภาพสูง ความทนทานเชิงกล คุณสมบัติทางไฟฟ้าและความเสถียรทางเคมี ทำให้ SiC เป็นวัสดุสำคัญสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รุ่นใหม่ที่ต้องการความทนทานและการทำงานอย่างมีประสิทธิภาพ
การบรรยายยังครอบคลุมประเด็นด้าน
– การประยุกต์ใช้ SiC เพื่อแก้โจทย์ระดับโลก เช่น ด้านพลังงาน ความมั่นคงทางอาหาร สุขภาพ และความปลอดภัย
– ความท้าทายในกระบวนการผลิต เช่น Wafer Fabrication, Electronic Packaging และ Failure Analysis
– แนวโน้มการพัฒนาวัสดุเพื่อรองรับเทคโนโลยีอนาคตที่ยั่งยืน
ทั้งนี้ Prof. Cheong ได้เน้นย้ำถึงความสำคัญของการพัฒนาวัสดุและการผลิต Wafer SiC ขนาดใหญ่ขึ้น เพื่อลดต้นทุนและเพิ่มศักยภาพในการใช้งานในวงกว้าง รวมถึงโอกาสในการวิจัยในอนาคต
